BS107ARL1G
Transistor canal N BS107ARL1G, TO-92, 200V, 250mA, 30nA, 6.4 Ohms, TO-92, 200V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Id (T=25°C): 250mA. Idss (maxi): 30nA. Résistance passante Rds On: 6.4 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 200V. C (in): 60pF. C (out): 30pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 250mA. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Dissipation de puissance maxi: 0.6W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Id(imp): 500mA. Marquage du fabricant: BS107A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 12 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: (D-S) MOSFETs. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V...
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