Transistor canal N BS170, TO-92, 60V, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, 60V. Boîtier: TO-92. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Id (T=25°C): 0.5A. Idss (maxi): 10nA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 60V. C (in): 24pF. C (out): 40pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.3A. Courant de drain maxi: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Courant de drain: 500mA. Dissipation de puissance maxi: 0.83W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Délai de coupure tf[nsec.]: 4 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 1.2A. Idss (min): 0.5uA. Marquage du fabricant: BS170. Marquage sur le boîtier: BS170. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: unipolaire. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 0.83W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 5 Ohms. Td(off): 10 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Petits signaux. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Tension drain - source: 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur: Fairchild. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:25