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MMBF170

Transistor canal N MMBF170, SOT-23, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 40pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: MMBF170. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.38€

Quantité en stock: 6851

MMBF170LT1G

Transistor canal N MMBF170LT1G, SOT-23, TO-236AB, 60V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 60pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 0.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 5 Ohms @ 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 6Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

0.27€

Quantité en stock: 8074

MMBFJ310LT1G

Transistor canal N MMBFJ310LT1G, SOT-23, 25V, 60mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 25V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 60mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Marquage du fabricant: 6T. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V...

0.56€

Quantité en stock: 4714

MTW45N10E

Transistor canal N MTW45N10E, TO-247AE, 100V. Boîtier: TO-247AE. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 45A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 22.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 170 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: MTW45N10E. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 50 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

4.14€

Quantité en stock: 34

MTY100N10E

Transistor canal N MTY100N10E, TO-264, 100V. Boîtier: TO-264. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 10640pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 100A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.011 Ohms @ 50A. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Délai de coupure tf[nsec.]: 372 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: MTY100N10E. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 96 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

17.75€

Quantité en stock: 116

NTD20N06LT4G

Transistor canal N NTD20N06LT4G, D-PAK, TO-252, 60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 990pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 20N06LG. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.95€

Quantité en stock: 4622

NTD3055L104T4G

Transistor canal N NTD3055L104T4G, D-PAK, TO-252, 60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 12A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 55L104G. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.84€

Quantité en stock: 807

PMV213SN

Transistor canal N PMV213SN, SOT-23, TO-236AB, 100V. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.5 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: PMV213SN. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

0.68€

Quantité en stock: 249

RFD14N05L

Transistor canal N RFD14N05L, TO-251AA, 50V. Boîtier: TO-251AA. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: RFD14N05L. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

2.36€

Quantité en stock: 102

RFD14N05SM9A

Transistor canal N RFD14N05SM9A, D-PAK, 50V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Capacité de grille Ciss [pF]: 670pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 14A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 42 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F14N05. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

1.47€

Quantité en stock: 2495

RFP3055LE

Transistor canal N RFP3055LE, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.107 Ohms @ 8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 38W. Délai de coupure tf[nsec.]: 22 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: RFP3055LE. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

Quantité en stock: 324

SI4532ADY-T1-E3

Transistor canal N SI4532ADY-T1-E3, SO8, MS-012, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 500pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.7A/-3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.053 Ohms/0.08 Ohms @ 4.9/-3.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.13W. Délai de coupure tf[nsec.]: 23/21 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: SI4532ADY-T1-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V...

1.43€

Quantité en stock: 1789

SI4532CDY-T1-GE3

Transistor canal N SI4532CDY-T1-GE3, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 305/340pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.14W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25/30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: SI4532CDY-T1-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V...

1.30€

Quantité en stock: 1338

SI4559EY-E3

Transistor canal N SI4559EY-E3, SO8, MS-012, 60V/-60V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V/-60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.5A/-3.1A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Délai de coupure tf[nsec.]: 36/12ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Marquage du fabricant: SI4559EY. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns/8 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V...

1.33€

Quantité en stock: 147

SI4946BEY-T1-E3

Transistor canal N SI4946BEY-T1-E3, SO8, MS-012, 60V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.052 Ohms @ 4.7A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.6W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI4946BEY-T1-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

2.66€

Quantité en stock: 7498

SI4946EY-T1-E3

Transistor canal N SI4946EY-T1-E3, SO8, MS-012, 60V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 4.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.4W. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: SI4946EY-T1-E3. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V...

1.77€

Quantité en stock: 371

SPA07N60C3XKSA1

Transistor canal N SPA07N60C3XKSA1, ITO-220 (PG-TO220FP), 650V. Boîtier: ITO-220 (PG-TO220FP). Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Capacité de grille Ciss [pF]: 790pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 4.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 32W. Délai de coupure tf[nsec.]: 60 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 07N60C3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V...

3.79€

Quantité en stock: 85

SPP10N10

Transistor canal N SPP10N10, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 426pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.17 Ohms @ 7.8A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 10N10. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.10€

Quantité en stock: 35

SPP80N06S2L-11

Transistor canal N SPP80N06S2L-11, TO-220AB, 55V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2650pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Dissipation maximale Ptot [W]: 158W. Délai de coupure tf[nsec.]: 68 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 2N06L11. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

3.55€

Quantité en stock: 198

SPW20N60C3

Transistor canal N SPW20N60C3, TO-247, 650V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2400pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 208W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: 20N60C3. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V...

11.84€

Quantité en stock: 75

SST201

Transistor canal N SST201, SOT-23, 40V, 1mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Courant de drain Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: Transistor JFET à canal N. Marquage du fabricant: P1. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension de point d'arrêt grille-source Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V...

2.95€

Quantité en stock: 21

STF5NK100Z-ZENER

Transistor canal N STF5NK100Z-ZENER, TO-220FP, 1 kV. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 1 kV. Capacité de grille Ciss [pF]: 1154pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 3.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: F5NK100Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

7.10€

Quantité en stock: 782

STP10NK80ZFP-ZENER

Transistor canal N STP10NK80ZFP-ZENER, TO-220FP, 800V. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2180pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.9 Ohms @ 4.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P10NK80ZFP. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

4.73€

Quantité en stock: 32

STP11NK40Z-ZENER

Transistor canal N STP11NK40Z-ZENER, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 930pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.55 Ohms @ 4.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 110W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: P11NK40Z. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V...

1.98€

Quantité en stock: 81

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