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BUZ22

Transistor canal N BUZ22, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1850pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 34A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Délai de coupure tf[nsec.]: 300 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ22. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 30 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

BUZ53A

Transistor canal N BUZ53A, 2.6A, 2.6A, 1000V. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 2.6A. Tension Vds(max): 1000V. Dissipation de puissance maxi: 78W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS L. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ72A

Transistor canal N BUZ72A, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.23 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 330pF. C (out): 90pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Id(imp): 44A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 25 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Température: +175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

BUZ73LH

Transistor canal N BUZ73LH, TO-220AB, 200V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 840pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ73LH. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

BUZ74

Transistor canal N BUZ74, TO-220AB, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V, 500V. Boîtier: TO-220AB. Id (T=100°C): 1.5A. Boîtier (norme JEDEC): -. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 2.4A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Tension Vds(max): 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 675pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 2.4A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 65 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Fonction: transistor MOSFET N. Marquage du fabricant: BUZ74. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Technologie: V-MOS. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ76

BUZ76A

Transistor canal N BUZ76A, TO-220AB, 400V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 650pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: BUZ76A. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

BUZ77A

BUZ77B

Transistor canal N BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 1.7A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. C (in): 460pF. C (out): 55pF. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(imp): 11.5A. Idss (min): 0.1uA. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 50 ns. Td(on): 8 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 350 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V...

BUZ80A

Transistor canal N BUZ80A, TO220, PG-TO220-3. Boîtier: TO220, PG-TO220-3. Conditionnement: tubus. Courant de drain: 4A. Montage/installation: THT. Polarité: unipolaire. Puissance: 63W. RoHS: non. Résistance dans l'état passant: 1.3 Ohms. Technologie: CoolMOS™. Tension drain - source: 800V. Tension grille-source: ±20V. Type de transistor: N-MOSFET...

BUZ80AF

BUZ83

Transistor canal N BUZ83, 3.2A, 3.2A, 800V. Id (T=25°C): 3.2A. Idss (maxi): 3.2A. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 78W. Fonction: V-MOS. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ90

Transistor canal N BUZ90, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 4.5A. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ90A

Transistor canal N BUZ90A, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ90AF

Transistor canal N BUZ90AF, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 4A. Résistance passante Rds On: 2 Ohms. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: transistor MOSFET N. Quantité par boîtier: 1. Technologie: TO-220F. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ91A

Transistor canal N BUZ91A, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 8A. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: transistor MOSFET N. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

BUZ91A-INF

Transistor canal N BUZ91A-INF, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 32A. Idss (min): 0.1uA. Quantité par boîtier: 1. Technologie: V-MOS. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

CEB6030L

Transistor canal N CEB6030L, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. Id (T=25°C): 52A. Idss (maxi): 52A. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 75W. Fonction: Mode d'amélioration du niveau logique. Id(imp): 156A. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Quantité par boîtier: 1. Technologie: Field Effect Power MOSFET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

CM200DY-24H

Transistor canal N CM200DY-24H, 200A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 40pF. C (out): 14pF. Courant de collecteur: 200A. Dimensions: 108x62x31mm. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 1500W. Fonction: Double transistor IGBT (isolé). Ic(puls): 400A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 7. RoHS: oui. Spec info: commutation haute puissance. Td(off): 300 ns. Td(on): 250 ns. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

CSD17313Q2T

Transistor canal N CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Boîtier: WSON6. Boîtier (selon fiche technique): boîtier plastique 2mm × 2mm. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 260pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 17W. Id(imp): 57A. Idss (min): -. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V...

DF600R12IP4D

Transistor canal N DF600R12IP4D, 600A, autre, autre, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Boîtier: autre. Boîtier (selon fiche technique): autre. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 37pF. Courant de collecteur: 600A. Dimensions: 172x89x37mm. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Dissipation de puissance maxi: 3350W. Fonction: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Ic(puls): 1200A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 10. RoHS: oui. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Td(off): 0.7 ns. Td(on): 0.21 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.7V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Type de canal: N...

DMHC3025LSD-13

Transistor canal N DMHC3025LSD-13, SO8, 30V/-30V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Capacité de grille Ciss [pF]: 590/631pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6A/-4.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Famille de composants: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Marquage du fabricant: C3025LS. Nombre de bornes: 8. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11.2 ns/7.5 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.2V/-2V...

ECW20N20

Transistor canal N ECW20N20, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Id (T=25°C): 16A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 900pF. C (out): 500pF. Dissipation de puissance maxi: 250W. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECW20P20. Td(off): 90 ns. Td(on): 155 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.1V. Tension grille/source Vgs: 14V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

ECX10N20

Transistor canal N ECX10N20, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10mA. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 200V. Brochage: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (in): 500pF. C (out): 300pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Divers: Amplificateur de puissance HIFI. Fonction: Amplificateur de puissance AUDIO MOSFET. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) ECX10P20. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Technologie: N–CHANNEL POWER MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) max.: 1.5V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.15V. Tension grille/source Vgs: 14V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...