Transistor canal N CSD17313Q2T, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, boîtier plastique 2mm × 2mm, 30 v. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Boîtier: WSON6. Boîtier (selon fiche technique): boîtier plastique 2mm × 2mm. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 260pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 17W. Id(imp): 57A. Idss (min): -. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 6. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Produit d'origine constructeur: Texas Instruments. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:19