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IRFP350PBF

Transistor canal N IRFP350PBF, TO-247AC, 400V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 400V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 19A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 87 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP350PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

6.51€

Quantité en stock: 123

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IRFP450LCPBF

Transistor canal N IRFP450LCPBF, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 8.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP450LCPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

5.26€

Quantité en stock: 63

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IRFP460LCPBF

Transistor canal N IRFP460LCPBF, TO-247, 500V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 3600pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 20A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 12A. Dissipation maximale Ptot [W]: 280W. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFP460LCPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

7.10€

Quantité en stock: 38

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IRFPC50PBF

Transistor canal N IRFPC50PBF, TO-247AC, 600V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 11A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 180W. Délai de coupure tf[nsec.]: 88 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFPC50PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 18 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

7.10€

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IRFPE40PBF

Transistor canal N IRFPE40PBF, TO-247AC, 800V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 800V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 3.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFPE40PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

5.39€

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IRFPF50PBF

Transistor canal N IRFPF50PBF, TO-247AC, 900V. Boîtier: TO-247AC. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Capacité de grille Ciss [pF]: 2900pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.6 Ohms @ 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 190W. Délai de coupure tf[nsec.]: 130 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFPF50PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

5.92€

Quantité en stock: 74

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IRFPS37N50APBF

Transistor canal N IRFPS37N50APBF, 17.4k Ohms, 500V. Boîtier: 17.4k Ohms. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5580pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 36A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Dissipation maximale Ptot [W]: 446W. Délai de coupure tf[nsec.]: 52 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFPS37N50APBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

17.76€

Quantité en stock: 10

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IRFR024NPBF

Transistor canal N IRFR024NPBF, D-PAK, TO-252, 55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR024N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.47€

Quantité en stock: 129

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IRFR024NTRPBF

Transistor canal N IRFR024NTRPBF, D-PAK, TO-252, 60V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR024N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.47€

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IRFR110PBF

Transistor canal N IRFR110PBF, D-PAK, TO-252, 100V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 180pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 4.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFR110PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.9ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.36€

Quantité en stock: 818

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IRFR1205TRPBF

Transistor canal N IRFR1205TRPBF, D-PAK, TO-252, 55V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 44A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Dissipation maximale Ptot [W]: 107W. Délai de coupure tf[nsec.]: 47 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR1205. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.3 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.42€

Quantité en stock: 1440

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IRFR120NPBF

Transistor canal N IRFR120NPBF, D-PAK, TO-252, 100V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 6.6A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 32 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR1205N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.5 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.18€

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IRFR220NTRLPBF

Transistor canal N IRFR220NTRLPBF, D-PAK, TO-252, 200V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 300pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Délai de coupure tf[nsec.]: 20 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FR220N. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6.4 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.95€

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IRFRC20PBF

Transistor canal N IRFRC20PBF, D-PAK, TO-252, 600V. Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFRC20PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.33€

Quantité en stock: 194

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IRFU024NPBF

Transistor canal N IRFU024NPBF, I-PAK, 60V. Boîtier: I-PAK. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 14A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 8.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFU024NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.18€

Quantité en stock: 2297

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IRFU420PBF

Transistor canal N IRFU420PBF, TO-251AA, 500V. Boîtier: TO-251AA. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Capacité de grille Ciss [pF]: 360pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 2.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ 1.4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Délai de coupure tf[nsec.]: 33 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFU420PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.07€

Quantité en stock: 49

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IRFU4620PBF

Transistor canal N IRFU4620PBF, TO-251AA, 200V. Boîtier: TO-251AA. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1710pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 24A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.78 Ohms @ 15A. Dissipation maximale Ptot [W]: 144W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25.4 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFU4620PBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13.4 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V...

4.73€

Quantité en stock: 417

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IRFZ24NSPBF

Transistor canal N IRFZ24NSPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 370pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 10A. Dissipation maximale Ptot [W]: 45W. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FZ24NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4.9 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.77€

Quantité en stock: 219

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IRFZ34NPBF

Transistor canal N IRFZ34NPBF, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Capacité de grille Ciss [pF]: 700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 30A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. Délai de coupure tf[nsec.]: 31 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRFZ34NPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

1.77€

Quantité en stock: 301

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IRFZ44NSPBF

Transistor canal N IRFZ44NSPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1470pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 49A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0175 Ohms @ 25A. Dissipation maximale Ptot [W]: 94W. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: FZ44NS. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v...

2.95€

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IRL1004S

Transistor canal N IRL1004S, D²-PAK, TO-263, 40V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5330pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 130A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L1004S. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 16 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V...

3.55€

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IRL1404ZPBF

Transistor canal N IRL1404ZPBF, TO-220AB, 40V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 40V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5080pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 140A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Dissipation maximale Ptot [W]: 230W. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL1404ZPBF. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 19 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2.7V...

4.14€

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IRL2505STRLPBF

Transistor canal N IRL2505STRLPBF, D²-PAK, TO-263, 55V. Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 5000pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: 104A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: L2505S. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

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IRL3502

Transistor canal N IRL3502, TO-220AB, 20V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: 20V. Capacité de grille Ciss [pF]: 4700pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: 110A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Dissipation maximale Ptot [W]: 140W. Délai de coupure tf[nsec.]: 96 ns. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Marquage du fabricant: IRL3502. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V...

4.14€

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