MMBT3906LT1G
Transistor PNP MMBT3906LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), TO-236, 40V, 200mA, 200mA, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 200mA. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 1.6pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de collecteur Ic [A]: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 225mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor PNP. Fonction: UNI. Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Fréquence: 250MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 800mA. Marquage du fabricant: 2A. Marquage sur le boîtier: 2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 300mW. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: SMD 2A. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 75 ns. Tf(min): 35 ns. Type de transistor: PNP. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...
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