Transistor PNP MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

Transistor PNP MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V

Quantité
Prix unitaire
1-4
7.55€
5-14
6.89€
15-29
6.38€
30-59
5.92€
60+
5.20€
Quantité en stock: 49

Transistor PNP MJW1302AG, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Courant de collecteur: 15A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Date de production: 201446. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 50. Ic(puls): 25A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW3281A. Technologie: transistor bipolaire de puissance. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 230V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
MJW1302AG
26 paramètres
Courant de collecteur
15A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension collecteur/émetteur Vceo
230V
Date de production
201446
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
200W
FT
30 MHz
Fonction
Transistor de puissance bipolaire complémentaire
Gain hFE maxi
200
Gain hFE mini
50
Ic(puls)
25A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJW3281A
Technologie
transistor bipolaire de puissance
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
0.4V
Type de transistor
PNP
Vcbo
230V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor