Transistor PNP MJW21195, 16A, TO-247, TO-247, 250V

Transistor PNP MJW21195, 16A, TO-247, TO-247, 250V

Quantité
Prix unitaire
1-4
7.32€
5-24
6.66€
25-49
5.80€
50+
5.37€
Quantité en stock: 155

Transistor PNP MJW21195, 16A, TO-247, TO-247, 250V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Date de production: 2015/04. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. FT: 4 MHz. Fonction: Excellente linéarité de gain. Gain hFE maxi: 80. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW21196. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de transistor: PNP. Vcbo: 400V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27

Documentation technique (PDF)
MJW21195
25 paramètres
Courant de collecteur
16A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247
Tension collecteur/émetteur Vceo
250V
Date de production
2015/04
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
200W
FT
4 MHz
Fonction
Excellente linéarité de gain
Gain hFE maxi
80
Gain hFE mini
20
Ic(puls)
30A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
transistor complémentaire (paire) MJW21196
Température de fonctionnement
-65...+150°C
Tension de saturation VCE(sat)
1V
Type de transistor
PNP
Vcbo
400V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
ON Semiconductor