Transistor PNP MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA

Transistor PNP MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA

Quantité
Prix unitaire
1-99
0.16€
100-999
0.10€
1000-2999
0.0633€
3000+
0.0585€
Quantité en stock: 3642

Transistor PNP MMBT5401LT1G, SOT-23, TO-236, 150V, 500mA. Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 150V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Famille de composants: transistor PNP. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Marquage du fabricant: 2L. Nombre de bornes: 3. RoHS: oui. Température maxi: +150°C. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 18:29

Documentation technique (PDF)
MMBT5401LT1G
13 paramètres
Boîtier
SOT-23
Boîtier (norme JEDEC)
TO-236
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
150V
Courant de collecteur Ic [A], max.
500mA
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Dissipation maximale Ptot [W]
0.225W
Famille de composants
transistor PNP
Fréquence de coupure ft [MHz]
100 MHz
Marquage du fabricant
2L
Nombre de bornes
3
RoHS
oui
Température maxi
+150°C
Produit d'origine constructeur
Onsemi