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BD679

Transistor NPN BD679, TO-126, 80V, 4A. Boîtier: TO-126. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 4A. Courant maximum 1: 4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE min.: 750. Gain hfe: 750. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD679. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. RoHS: oui. Série: BD679. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: transistor Darlington. Type: transistor Darlington...

BD679A

Transistor NPN BD679A, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4A, 4A, TO-126, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. FT: 10 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 6A. Marquage du fabricant: BD679A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD680A. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 2.8V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

BD681

Transistor NPN BD681, TO-126 (TO-225, SOT-32), 100V, 4A, 4A, TO-126, 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 4A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 4A. Courant maximum 1: 4A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Diode intégrée: oui. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. FT: 10 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 750. Gain hFE min.: 750. Gain hfe: 750. Ic(puls): 6A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD681. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD682. Série: BD681. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

BD911

Transistor NPN BD911, 100V, TO-220, 15A, 15A, TO-220, 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Bande passante MHz: 3MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 15A. Courant maximum 1: 15A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 90W. Dissipation maximale Ptot [W]: 90W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: Puissance Linéaire et Commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 5. Gain hFE mini: 40. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD911. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD912. Série: BD. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

BDW83C

Transistor NPN BDW83C, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 15A, 15A, SOT-93, 100V. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 15A. Courant de collecteur: 15A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-93. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): SOT-93. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 125W. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. FT: 1 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: hFE 750 (@3V, 6A). Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: BDW83C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDW84C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

BDW93C

Transistor NPN BDW93C, TO-220, 100V, 12A, 12A, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Courant de collecteur: 12A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 12A. Courant maximum 1: 12A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 80W. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. FT: 20 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: transistor complémentaire (paire) BDW94C. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE min.: 100. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 750. Ic(puls): 15A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BDW93C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 80W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance BE: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Structure diélectrique: transistor Darlington. Série: BDW93. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Vcbo: 100V...

BDX33C

Transistor NPN BDX33C, TO-220, 100V, 10A, 10A, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Courant maximum 1: 10A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Diode intégrée: oui. Dissipation de puissance maxi: 70W. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. FT: 20 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE maxi: 750. Gain hFE min.: 750. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 750. Ic(puls): 15A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BDX33C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 70W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 150 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) BDX34C. Série: BDX33. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Vcbo: 100V. Vebo: 2.5V...

BDX53C

Transistor NPN BDX53C, TO-220, 100V, 8A, 8A, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 8A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 8A. Courant maximum 1: 8A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 60W. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. FT: 20 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: amplificateur audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 20MHz. Gain hFE min.: 750. Gain hFE mini: 750. Gain hfe: 750. Ic(puls): 12A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BDX53C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 60W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: transistor complémentaire (paire) BDX54C. RoHS: oui. Résistance B: 10k Ohms. Résistance BE: 150 Ohms. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Série: BDX53. Technologie: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

BF199

Transistor NPN BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 25V. Courant de collecteur: 100mA. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Applications: RF-POWER. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 25uA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. FT: 1100 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fonction: TV-IF. Fréquence de coupure ft [MHz]: 750 MHz. Fréquence maxi: 400MHz. Fréquence: 550MHz. Marquage du fabricant: BF199. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v...

BF393

Transistor NPN BF393, TO-92, 500mA, 0.5A, 300V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Courant de collecteur: 0.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 2pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: Ampli VIDEO.. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: BF393. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 6V...

BFS20

Transistor NPN BFS20, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Courant de collecteur: 25mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. Dissipation de puissance maxi: 200mW. FT: 450 MHz. Fonction: 'IF and VHF thick and thin-film circuit'. Gain hFE maxi: 140. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 25mA. Marquage sur le boîtier: G1*. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS G1p, G1t, G1W. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Type de transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v...

BFW92A

Transistor NPN BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V. Boîtier: TO-50. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Courant de collecteur: 0.025A. Boîtier (selon fiche technique): TO-50-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation de puissance maxi: 300mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. FT: 3.2GHz. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fonction: Amplificateur RF large bande jusqu'à la gamme GHz.. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3.2GHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: BFW92A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: 'Planar RF Transistor'. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V...

BUV48A

BUX85

Transistor NPN BUX85, TO-220, 2A, 2A, TO-220, 450V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 4 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: S-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE mini: 30. Ic(puls): 3A. Marquage du fabricant: BUX85G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 1kV. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 450V. Tension de saturation VCE(sat): 0.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V...

D44H8

Transistor NPN D44H8, TO-220, 10A, 10A, TO-220, 60V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. C (out): 90pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Marquage du fabricant: D44H8. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: transistor complémentaire (paire) D45H8. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de transistor: NPN...

ESM3030DV

MJ11016G

Transistor NPN MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 30A. Courant de collecteur: 30A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. C (in): 4pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 200W. Dissipation maximale Ptot [W]: 200W. FT: 4 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE mini: 1000. Marquage du fabricant: MJ11016G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ11015. Température de fonctionnement: -55...+200°C. Température maxi: +200°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 120V. Vebo: 5V...

MJ15003G

Transistor NPN MJ15003G, TO-3 ( TO-204 ), 140V, 20A, 20A, TO-3, 140V. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 140V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 20A. Courant de collecteur: 20A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Bande passante MHz: 2MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 20A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 250W. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. FT: 2 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: Transistor de puissance. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Fréquence maxi: 2MHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 25. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJ15003G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 2. Polarité: NPN. Puissance: 250W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJ15004. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Température maxi: +200°C.. Tension base / collecteur VCBO: 140V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Type de montage: Montage sur châssis. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 140V. Vebo: 5V...

MJ15024G

Transistor NPN MJ15024G, TO-3, 16A, 250V, 16A. Boîtier: TO-3. Courant de collecteur: 16A. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 16A. Bande passante MHz: 4MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-204AA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 16A. Dissipation maximale Ptot [W]: 250W. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: 4 MHz. Fréquence maxi: 4MHz. Gain hFE min.: 5. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJ15024G. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 250W. RoHS: oui. Température maxi: +200°C.. Tension base / collecteur VCBO: 400V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Type de montage: Montage sur châssis. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Type: Puissance...

MJE15032G

Transistor NPN MJE15032G, 250V, TO-220, 8A, 8A, TO-220AB, 250V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 250V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 250V. Bande passante MHz: 30MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-220. C (out): 4pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 50W. Dissipation maximale Ptot [W]: 50W. FT: 30 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: pour amplificateur audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: 30 MHz. Fréquence maxi: 30MHz. Gain hFE maxi: 50. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 16A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJE15032G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15033. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 250V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 250V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 250V. Vebo: 5V...

MJE243G

Transistor NPN MJE243G, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 4mA, 4A, TO-225, 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur Ic [A], max.: 4mA. Courant de collecteur: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 15W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.015W. FT: 40 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Fréquence de coupure ft [MHz]: 40 MHz. Fréquence maxi: 40MHz. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Ic(puls): 8A. Marquage du fabricant: MJE243G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 15W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE253. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

MJE3055T

Transistor NPN MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. C (out): 200pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: MJE3055T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 70V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 70V. Vebo: 5V...

MJE340

Transistor NPN MJE340, 4.87k Ohms, TO-126 (TO-225, SOT-32), 500mA, 0.5A, TO-126, 300V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 4.87k Ohms. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Boîtier (norme JEDEC): TO-126. Conditionnement: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 0.5A. 500mA. Courant maximum 1: 0.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. FT: 10 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute tension. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE min.: 30. Gain hFE mini: 30. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: MJE340. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 20W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE350. Série: MJE340. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 4.87k Ohms. Tension base / collecteur VCBO: 4.87k Ohms. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 300V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Switching. Vcbo: 300V. Vebo: 3V...

MMBT3904

Transistor NPN MMBT3904, SOT-23, 40V, 200mA. Boîtier: SOT-23. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Bande passante MHz: 300MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant maximum 1: 0.2A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Gain hFE min.: 100. Information: -. Marquage du fabricant: 1AM. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 0.35W. RoHS: oui. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 60V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Type de montage: SMD. Type: transistor pour applications basse puissance...