Transistor NPN BDW93C, TO-220, 100V, 12A, 12A, TO-220AB, 100V

Transistor NPN BDW93C, TO-220, 100V, 12A, 12A, TO-220AB, 100V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.07€
5-24
0.89€
25-49
0.79€
50-99
0.71€
100+
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Transistor NPN BDW93C, TO-220, 100V, 12A, 12A, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 12A. Courant de collecteur: 12A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 12A. Courant maximum 1: 12A. Diode BE: non. Diode CE: oui. Dissipation de puissance maxi: 80W. Dissipation maximale Ptot [W]: 80W. FT: 20 MHz. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Fonction: transistor complémentaire (paire) BDW94C. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE min.: 100. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 750. Ic(puls): 15A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BDW93C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 80W. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Résistance BE: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Structure diélectrique: transistor Darlington. Série: BDW93. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Transistor Darlington?: oui. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor Darlington. Vcbo: 100V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BDW93C
48 paramètres
Boîtier
TO-220
Tension collecteur-émetteur VCEO
100V
Courant de collecteur Ic [A], max.
12A
Courant de collecteur
12A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AB
Tension collecteur/émetteur Vceo
100V
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220AB
Conditionnement
tubus
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de collecteur Ic [A]
12A
Courant maximum 1
12A
Diode BE
non
Diode CE
oui
Dissipation de puissance maxi
80W
Dissipation maximale Ptot [W]
80W
FT
20 MHz
Famille de composants
Transistor NPN Darlington de puissance
Fonction
transistor complémentaire (paire) BDW94C
Gain hFE maxi
20000
Gain hFE min.
100
Gain hFE mini
100
Gain hfe
750
Ic(puls)
15A
Marquage du fabricant
BDW93C
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Polarité
bipolaire
Puissance
80W
Quantité par boîtier
2
RoHS
oui
Résistance BE
R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms
Structure diélectrique
transistor Darlington
Série
BDW93
Température maxi
+150°C.
Température
+150°C
Tension (collecteur - émetteur)
100V
Tension base / collecteur VCBO
100V
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
100V
Tension de saturation VCE(sat)
2V
Tension de saturation maxi VCE(sat)
3V
Transistor Darlington?
oui
Type de montage
montage traversant pour circuit imprimé
Type de transistor
NPN
Type
transistor Darlington
Vcbo
100V
Produit d'origine constructeur
Stmicroelectronics