Transistor NPN BF199, TO-92, 25V, 100mA, 100mA, TO-92, 25V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 25V. Courant de collecteur: 100mA. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Applications: RF-POWER. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 25uA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 350mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.35W. FT: 1100 MHz. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fonction: TV-IF. Fréquence de coupure ft [MHz]: 750 MHz. Fréquence maxi: 400MHz. Fréquence: 550MHz. Marquage du fabricant: BF199. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température de fonctionnement: -55°C à +150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Produit d'origine constructeur: Cdil. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14