Transistor NPN BFW92A, TO-50, 25mA, 0.025A, TO-50-3, 25V. Boîtier: TO-50. Courant de collecteur Ic [A], max.: 25mA. Courant de collecteur: 0.025A. Boîtier (selon fiche technique): TO-50-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 25V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: composant monté en surface (CMS). Dissipation de puissance maxi: 300mW. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. FT: 3.2GHz. Famille de composants: transistor NPN haute fréquence. Fonction: Amplificateur RF large bande jusqu'à la gamme GHz.. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3.2GHz. Gain hFE maxi: 150. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: BFW92A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: 'Planar RF Transistor'. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 15V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 25V. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14