Transistor NPN MJE3055T, TO-220, 10A, 10A, TO-220AB, 60V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. C (out): 200pF. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 10A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 75W. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. FT: 2 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Marquage du fabricant: MJE3055T. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 90W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 70V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 70V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:27