Recherche de produit: V-00206 - RPtronics. Page 11 sur 13

2N3773-ONS

Transistor NPN 2N3773-ONS, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 140V. Courant de collecteur: 16A. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3 ( TO-204 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 140V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 150W. FT: 0.2 MHz. Fonction: -. Gain hFE maxi: 60. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 30A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -65...+200°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.4V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 7V...

11.28€

Dernières pièces disponibles
Equivalence disponible
Quantité en stock: 16

2N3904

Transistor NPN 2N3904, TO-92, 40V, 200mA, 100mA, TO-92, 40V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 40V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 200mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Bande passante MHz: 270MHz. Boîtier (norme JEDEC): -. C (in): 8pF. C (out): 4pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 200mA. Courant maximum 1: 0.2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Transistor de commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE min.: 30. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 200mA. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: 2N3904. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: hFE 100-300 (IC=10mAdc, VCE=1.0Vdc). Série: 2N. Technologie: 'Epitaxial Planar Die Construction'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension base / collecteur VCBO: 60V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tf(max): 75 ns. Transistor Darlington?: non. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Standard. Vcbo: 60V. Vebo: 5V...

0.0430€

+10984 rapidement
Quantité en stock: 913

2N5551

Transistor NPN 2N5551, TO-92, 600mA, 0.6A, TO-92, 160V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (out): 6pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 600mA. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: Ampli VIDEO.. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Fréquence: 100MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 80. Marquage du fabricant: 2N5551. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 160V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.2V. Type de conditionnement: Ammo Pack. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 6V...

0.0708€

+6400 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 933

2SC2910

Transistor NPN 2SC2910, TO-92, 70mA, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Courant de collecteur: 70mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. FT: 150 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: Commutation haute tension. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 140mA. Marquage du fabricant: 2SC2910. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208. Température maxi: -.. Température: +150°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Vebo: 5V...

4.22€

Produit obsolète
En rupture de stock
Equivalence disponible

2SC3199

Transistor NPN 2SC3199, TO-92, 150mA, 150mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Boîtier (norme JEDEC): -. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. FT: 80 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 70. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: remplacement KTA1267. Température maxi: -.. Température: +125°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.56€

Equivalence disponible
Quantité en stock: 168

2SD2061

Transistor NPN 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 30W. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. FT: 8 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: transistor à boîtier isolé. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Type de transistor: NPN...

1.23€

+2 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 18

2SD330

Transistor NPN 2SD330, TO-220, 2A, 2A, 50V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 20W. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. FT: 8 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: -. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Ic(puls): 5A. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 50V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V...

0.83€

Quantité en stock: 7

BC107B

Transistor NPN BC107B, TO-18 ( TO-206 ), 100mA, 0.2A, TO-18, 45V. Boîtier: TO-18 ( TO-206 ). Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 0.2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-18. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier (norme JEDEC): TO-18. C (out): 4.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.3W. FT: 150 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE mini: 200. Marquage du fabricant: BC107B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Température maxi: +175°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V...

0.80€

+889 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 164

BC141-16

Transistor NPN BC141-16, TO-39 ( TO-205 ), 60V, 1A, 1A, TO39, 60V. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Bande passante MHz: 50MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-39. C (in): 80pF. C (out): 25pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Courant maximum 1: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.75W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: pour applications de moyenne puissance et de commutation. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 30. Gain hFE mini: 100. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC141-16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.65W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC161-16. Série: BC. Température maxi: +175°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 100V. Vebo: 7V...

0.85€

+97 rapidement
Quantité en stock: 89

BC337-40

Transistor NPN BC337-40, TO-92, 45V, 800mA, 0.8A, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 800mA. Courant de collecteur: 0.8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 100MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. C (out): 12pF. Conditionnement: Ammo Pack. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 800mA. Courant maximum 1: 0.8A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE min.: 170. Gain hFE mini: 250. Gain hfe: 400. Ic(puls): 1A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC337-40. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.625W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC327-40. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 45V. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0546€

+16242 rapidement
Quantité en stock: 3783

BC546B

Transistor NPN BC546B, TO-92, 65V, 100mA, 0.1A, TO-92, 65V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 65V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 65V. Bande passante MHz: 300MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. C (out): 6pF. Conditionnement: -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 100mA, 0.1A. Courant maximum 1: 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Fréquence: 300MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 0.2A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC546B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC556B. Série: BC. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Température maxi: +150°C.. Température: +150°C. Tension (collecteur - émetteur): 65V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 65V. Tension de saturation VCE(sat): 0.09V. Type de conditionnement: -. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 80V. Vebo: 6V...

0.0455€

+25738 rapidement
Quantité en stock: 890

BC547B

Transistor NPN BC547B, TO-92, 45V, 100mA, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Bande passante MHz: 300MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. C (out): 6pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 0.1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. FT: 100 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Gain hFE maxi: 450. Gain hFE min.: 200. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 200mA. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC547B. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 0.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC557B. Série: BC. Technologie: 'Epitaxial Planar-Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 50V. Vebo: 6V...

0.0442€

+8731 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 4365

BC547C

Transistor NPN BC547C, TO-92, 100mA, 100mA, TO-92, 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 100mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. FT: 300 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 270. Ic(puls): 200mA. Marquage du fabricant: BC547C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC557C. Technologie: 'Epitaxial Planar-Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0571€

+5708 rapidement
Quantité en stock: 2132

BC547CBK

Transistor NPN BC547CBK, TO-92, 45V, 100mA. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur VCEO: 45V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Bande passante MHz: 300MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-226. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 0.1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 300 MHz. Gain hFE min.: 420. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BC547C. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 0.625W. RoHS: oui. Série: BC. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 50V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type: transistor pour applications basse puissance...

0.27€

Quantité en stock: 6838

BC550CG

Transistor NPN BC550CG, TO-92, 100mA, 0.1A, TO-92 3L (Ammo Pack), 45V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 100mA. Courant de collecteur: 0.1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92 3L (Ammo Pack). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (in): 9pF. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. Equivalences: BC550CG, BC550CBU. FT: 250 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: hFE 420...800 (IC=2mAdc, VCE=5Vdc). Fréquence de coupure ft [MHz]: 250 MHz. Gain hFE maxi: 800. Gain hFE mini: 420. Marquage du fabricant: BC550C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC560C. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V...

0.0964€

+3359 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 1221

BC639

Transistor NPN BC639, TO-92, 1A, 1A, TO-92, 80V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-226AA. C (in): 50pF. C (out): 7pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.625W. FT: 130 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 200 MHz. Fréquence: 200MHz. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 40. Gain hfe: 40...250. Marquage du fabricant: BC639. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 0.8/2.75W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BC640. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V...

0.21€

+13052 rapidement
Quantité en stock: 241

BCP56T1G

Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A. Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Bande passante MHz: 130MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant maximum 1: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Gain hFE min.: 25. Information: -. Marquage du fabricant: BH. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 1.5W. RoHS: oui. Série: BCP. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Type de montage: SMD. Type: transistor pour applications basse puissance...

0.27€

Quantité en stock: 1378

BCX56-16

Transistor NPN BCX56-16, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), 80V, 1A, 1A, SOT-89, 80V. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Courant de collecteur: 1A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 100MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-243. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant maximum 1: 1A. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.35W. FT: 130 MHz. Famille de composants: transistor NPN. Fonction: amplificateurs audio et vidéo. Fréquence de coupure ft [MHz]: 180 MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 1.5A. Information: -. Marquage du fabricant: BL. Marquage sur le boîtier: BL. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: NPN. Puissance: 1W. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS BL. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BCX53-16. Série: BCX. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: SMD. Type de transistor: NPN. Type: transistor pour applications basse puissance. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.29€

+6691 rapidement
Quantité en stock: 354

BD139

Transistor NPN BD139, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 50MHz. Fréquence: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE mini: 63. Ic(puls): 3A. Marquage du fabricant: BD139. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 80V...

0.44€

+1697 rapidement
Quantité en stock: 328

BD139-16

Transistor NPN BD139-16, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32), 1.5A, 1.5A, TO-126, 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 1.5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Courant maximum 1: 1.5A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. FT: 50 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 50MHz. Gain hFE maxi: 250. Gain hFE min.: 100. Gain hFE mini: 100. Gain hfe: 40...250. Ic(puls): 3A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD139-16. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 12.5W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140-16. Série: BD. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 80V. Tension base / collecteur VCBO: 80V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 80V...

0.34€

+3922 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 296

BD237

Transistor NPN BD237, TO-126 (TO-225, SOT-32), 80V, 2A, 2A, TO-126, 80V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Bande passante MHz: 3MHz. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Courant maximum 1: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 25W. Dissipation maximale Ptot [W]: 25W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE min.: 25. Gain hFE mini: 25. Ic(puls): 6A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD237. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 25W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD238. Série: BD. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Tension de saturation VCE(sat): -. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Unité de conditionnement: 50. Vcbo: 100V...

0.47€

+647 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 105

BD239C

Transistor NPN BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 2A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 4A. Marquage du fabricant: BD239C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 30W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD240C. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 115V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V...

0.58€

+551 rapidement
Quantité en stock: 410

BD241C

Transistor NPN BD241C, TO-220, 100V, 5A, 3A, TO-220, 100V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur: 5A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Bande passante MHz: 3MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Courant maximum 1: 3A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence maxi: 3MHz. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 25. Gain hFE min.: 10. Gain hFE mini: 10. Ic(puls): 8A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: BD241C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 40W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD242C. Série: BD. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 100V. Tension base / collecteur VCBO: 115V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.2V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Type: Puissance. Vcbo: 115V. Vebo: 5V...

0.69€

+4650 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 176

BD441G

Transistor NPN BD441G, 80V, TO-126F, 4A, 4A, TO-126F, 80V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Boîtier: TO-126F. Courant de collecteur: 4A. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126F. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): TO-225. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 36W. Dissipation maximale Ptot [W]: 36W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: 3 MHz. Fréquence maxi: 3MHz. Marquage du fabricant: BD441G. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 36W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: boîtier isolé. Température maxi: +150°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Type de transistor: NPN...

0.72€

+485 rapidement
Quantité en stock: 23

Rechercher "V-00206"