Transistor NPN BD239C, TO-220, 100V, 2A, 2A, TO-220, 115V. Boîtier: TO-220. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 2A. Courant de collecteur: 2A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 115V. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A]: 2A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 30W. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. FT: 3 MHz. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fonction: NF-L. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Fréquence: 3MHz. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 4A. Marquage du fabricant: BD239C. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 30W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD240C. Température de fonctionnement: -...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension (collecteur - émetteur): 115V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.7V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14