Transistor NPN 2SC3199, TO-92, 150mA, 150mA, TO-92, 50V

Transistor NPN 2SC3199, TO-92, 150mA, 150mA, TO-92, 50V

Quantité
Prix unitaire
1-4
0.55€
5-24
0.45€
25-49
0.39€
50-99
0.36€
100+
0.31€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 168

Transistor NPN 2SC3199, TO-92, 150mA, 150mA, TO-92, 50V. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 150mA. Courant de collecteur: 150mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Boîtier (norme JEDEC): -. C (out): 3.5pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.4W. FT: 80 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: usage général. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Gain hFE maxi: 700. Gain hFE mini: 70. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Spec info: remplacement KTA1267. Température maxi: -.. Température: +125°C. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V/50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 5V. Produit d'origine constructeur: Jiangsu Changjing Electronics. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 08:19

Documentation technique (PDF)
2SC3199
30 paramètres
Boîtier
TO-92
Courant de collecteur Ic [A], max.
150mA
Courant de collecteur
150mA
Boîtier (selon fiche technique)
TO-92
Tension collecteur/émetteur Vceo
50V
C (out)
3.5pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Diode BE
non
Diode CE
non
Dissipation de puissance maxi
0.2W
Dissipation maximale Ptot [W]
0.4W
FT
80 MHz
Famille de composants
Transistor bipolaire NPN
Fonction
usage général
Gain hFE maxi
700
Gain hFE mini
70
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
non
Spec info
remplacement KTA1267
Température
+125°C
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
60V/50V
Tension de saturation VCE(sat)
0.1V
Type de transistor
NPN
Vcbo
50V
Vebo
5V
Produit d'origine constructeur
Jiangsu Changjing Electronics

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