Transistor NPN 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V

Transistor NPN 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V

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Transistor NPN 2SD2061, TO-220, 3A, 3A, TO-220, 80V. Boîtier: TO-220. Courant de collecteur Ic [A], max.: 3A. Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation de puissance maxi: 30W. Dissipation maximale Ptot [W]: 30W. FT: 8 MHz. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fonction: transistor à boîtier isolé. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V/60V. Type de transistor: NPN. Produit d'origine constructeur: Inchange Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
2SD2061
20 paramètres
Boîtier
TO-220
Courant de collecteur Ic [A], max.
3A
Courant de collecteur
3A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220
Tension collecteur/émetteur Vceo
80V
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Dissipation de puissance maxi
30W
Dissipation maximale Ptot [W]
30W
FT
8 MHz
Famille de composants
Transistor bipolaire NPN
Fonction
transistor à boîtier isolé
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
3
Nombre de connexions
3
Quantité par boîtier
1
RoHS
non
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
80V/60V
Type de transistor
NPN
Produit d'origine constructeur
Inchange Semiconductor

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