Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A

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Transistor NPN BCP56T1G, SOT-223, 80V, 1A. Boîtier: SOT-223. Tension collecteur-émetteur VCEO: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1A. Bande passante MHz: 130MHz. Boîtier (norme JEDEC): TO-261. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant maximum 1: 1A. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.5W. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: 130 MHz. Gain hFE min.: 25. Information: -. Marquage du fabricant: BH. Nombre de bornes: 3. Polarité: NPN. Puissance: 1.5W. RoHS: oui. Série: BCP. Température maxi: +150°C.. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Type de montage: SMD. Type: transistor pour applications basse puissance. Produit d'origine constructeur: Onsemi. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 22:14

Documentation technique (PDF)
BCP56T1G
23 paramètres
Boîtier
SOT-223
Tension collecteur-émetteur VCEO
80V
Courant de collecteur Ic [A], max.
1A
Bande passante MHz
130MHz
Boîtier (norme JEDEC)
TO-261
Configuration
composant monté en surface (CMS)
Courant maximum 1
1A
Dissipation maximale Ptot [W]
1.5W
Famille de composants
transistor de puissance NPN
Fréquence de coupure ft [MHz]
130 MHz
Gain hFE min.
25
Marquage du fabricant
BH
Nombre de bornes
3
Polarité
NPN
Puissance
1.5W
RoHS
oui
Série
BCP
Température maxi
+150°C.
Tension base / collecteur VCBO
100V
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
80V
Type de montage
SMD
Type
transistor pour applications basse puissance
Produit d'origine constructeur
Onsemi