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D8020L

Diode D8020L, 20A, 255A, TO-220, TO-220L, 800V. IF(AV): 20A. IFSM: 255A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220L. VRRM: 800V. Fonction: Ultra Fast Recovery Rectifiers. IRM (max): 500uA. IRM (min): 20uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V. Trr Diode (Min.): 4us...

D8025L

Diode D8025L, 25A, 350A, TO-220, TO-220AB ( SOT78 ), 800V. IF(AV): 25A. IFSM: 350A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB ( SOT78 ). VRRM: 800V. Fonction: trr 4us (IF=0.9A, IR=1.5A). IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: boîtier TO220 isolé. RoHS: oui. Spec info: 350Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -40...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.6V. Trr Diode (Min.): 4us...

DA204U

Diode DA204U, 0.2A, SOT-323, SOT-323, 20V. IF(AV): 0.2A. Boîtier: SOT-323. Boîtier (selon fiche technique): SOT-323. VRRM: 20V. Double: double. Marquage sur le boîtier: UMD3. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Remarque: sérigraphie/code CMS UMD3...

DD1200

Diode DD1200, 20mA, 500mA, 3x12mm, 12000V. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. VRRM: 12000V. Cj: 1.8pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Dimensions: 3x12mm. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): -. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

DD16000

Diode DD16000, 20mA, 500mA, 3x12mm, 16000V. IF(AV): 20mA. IFSM: 500mA. Boîtier (selon fiche technique): 3x12mm. VRRM: 16000V. Cj: 1.8pF. Classe d'inflammabilité: UL94V-0. Dimensions: 3x12mm. Fonction: diode de redressement haute tension. IRM (max): -. IRM (min): 5uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 40V. Trr Diode (Min.): 150 ns...

DD54RC

Diode DD54RC, 5A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. IF(AV): 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. VRRM: 1500V. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: 50App/10ms, Silicon Diffused Junction Type...

DF20LC30

Diode DF20LC30, 20A, 180A, D2PAK ( TO-263 ), TO-263, 300V. IF(AV): 20A. IFSM: 180A. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. VRRM: 300V. Cj: 90pF. Fonction: diode ultra-rapide à haut rendement. Marquage sur le boîtier: 20LC30. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: IFSM--180Ap (1cycle). Structure diélectrique: Cathode commune. Température: +150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.3V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Trr Diode (Min.): 30 ns...

DGP-30

Diode DGP-30, 3A, 100A, DO-201, DO-201AD, 1500V. IF(AV): 3A. IFSM: 100A. Boîtier: DO-201. Boîtier (selon fiche technique): DO-201AD. VRRM: 1500V. Cj: 40pF. Fonction: DIODE-RECTIFIER. IRM (max): 100uA. IRM (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: DGP30L. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 100Ap. Structure diélectrique: Anode-cathode. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.2V. Tension de seuil Vf (min): 1.2V. Trr Diode (Min.): 20us...

DMV1500HD

Diode DMV1500HD, TO-220, T0-220FPAB, 1500V. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): T0-220FPAB. VRRM: 1500V. Double: double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: DAMPER +MODULATION...

DMV1500M

Diode DMV1500M, TO-220, T0-220AB, 1500V. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): T0-220AB. VRRM: 1500V. Double: double. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Remarque: DAMPER +MODULATION...

DSEI12-06A

DSEI12-12A

DSEI120-12A

Diode DSEI120-12A, 100A, 600A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 100A. IFSM: 600A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 357W. Fonction: 'Fast Recovery'. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 540Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode (FRED)'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.8V. Tension de seuil Vf (min): 1.55V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 30...

DSEI2X101-06A

Diode DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V. IF(AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 250W. Fonction: double diode à récupération rapide. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.25V. Tension de seuil Vf (min): 1.17V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Unité de conditionnement: 10...

DSEI2X101-12A

Diode DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V. IF(AV): 2x91A. IFSM: 900A. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 250W. Délai de livraison: KB. Fonction: double diode à récupération rapide. IRM (max): 15mA. IRM (min): 1.5mA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Quantité par boîtier: 2. Remarque: 900App/10ms, 45°C. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.87V. Tension de seuil Vf (min): 1.61V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 10...

DSEI2X121-02A

Diode DSEI2X121-02A, ISOTOP ( SOT227B ), 2x123A, 2x123A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), 200V. Boîtier: ISOTOP ( SOT227B ). Boîtier (norme JEDEC): -. If [A]: 2x123A. IF(AV): 2x123A. IFSM: 1200A. Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 200V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 1mA..20mA. Dissipation de puissance maxi: 357W. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Fonction: double diode à récupération rapide. IRM (max): 20mA. IRM (min): 1mA. Ifsm [A]: 1200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: à visser. Nombre de bornes: 4. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 2. RoHS: oui. Spec info: 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 200V. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 0.89V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Unité de conditionnement: 10. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 1.1V @ 120A...

DSEI30-06A

Diode DSEI30-06A, 37A, 375A, TO-247, TO-247AD, 600V. IF(AV): 37A. IFSM: 375A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: 'Fast Recovery'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.6V. Tension de seuil Vf (min): 1.4V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Unité de conditionnement: 30...

DSEI30-10A

Diode DSEI30-10A, TO-247, TO-247AD, 30A, 37A, 375A, TO-247AD, 1000V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AD. If [A]: 30A. IF(AV): 37A. IFSM: 375A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1000V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 0.75mA..7mA. Dissipation de puissance maxi: 138W. Famille de composants: Diode de redressement au silicium. Fonction: 'Fast Recovery'. Ifsm [A]: 210A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 375Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1 kV. Tension de seuil Vf (max): 2.4V. Tension de seuil Vf (min): 2V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Unité de conditionnement: 30. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 2.4V @ 36A...

DSEI30-12A

DSEI60-06A

DSEI60-10A

Diode DSEI60-10A, 60A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1000V. IF(AV): 60A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1000V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 189W. Fonction: 'Fast Recovery'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.3V. Tension de seuil Vf (min): 1.8V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Unité de conditionnement: 30...

DSEI60-12A

Diode DSEI60-12A, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 52A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 189W. Fonction: 'Fast Recovery'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.55V. Tension de seuil Vf (min): 2V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 30...

DSEP12-12A

Diode DSEP12-12A, 15A, 90A, TO-220, TO-220AC, 1200V. IF(AV): 15A. IFSM: 90A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 95W. Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 0.5mA. IRM (min): 100uA. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 90Ap t=10ms, TVJ=45°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 2.75V. Tension de seuil Vf (min): 1.79V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 50...

DSEP30-12A