Diode DSEI12-06A, TO-220, TO-220AC, 14A, 14A, 100A, TO-220AC, 600V

Diode DSEI12-06A, TO-220, TO-220AC, 14A, 14A, 100A, TO-220AC, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.66€
5-9
2.37€
10-24
2.14€
25-49
1.94€
50+
1.61€
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Diode DSEI12-06A, TO-220, TO-220AC, 14A, 14A, 100A, TO-220AC, 600V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 14A. IF(AV): 14A. IFSM: 100A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 600V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 50uA..3mA. Dissipation de puissance maxi: 62W. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Fonction: 'Fast Recovery'. Ifsm [A]: 100A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 100Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 600V. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.5V. Trr Diode (Min.): 35 ns. Unité de conditionnement: 50. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 50 ns. [V]: 1.7V @ 16A. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
DSEI12-06A
33 paramètres
Boîtier
TO-220
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220AC
If [A]
14A
IF(AV)
14A
IFSM
100A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AC
VRRM
600V
Conditionnement
tube en plastique
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
50uA..3mA
Dissipation de puissance maxi
62W
Famille de composants
Diode de redressement rapide (tr<500ns)
Fonction
'Fast Recovery'
Ifsm [A]
100A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
100Ap t=10ms, TVJ=150°C
Structure diélectrique
Anode-cathode
Technologie
'Epitaxial Diode'
Température de fonctionnement
-40...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
600V
Tension de seuil Vf (max)
1.7V
Tension de seuil Vf (min)
1.5V
Trr Diode (Min.)
35 ns
Unité de conditionnement
50
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
50 ns
[V]
1.7V @ 16A
Produit d'origine constructeur
IXYS