Diode DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V

Diode DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.38€
5-24
2.11€
25-49
1.90€
50-99
1.74€
100+
1.52€
+26 pièces supplémentaires disponibles en stock distant (approvisionnement dans les 4h). Nous contacter pour tarif et disponibilité!
Equivalence disponible
Quantité en stock: 42

Diode DSEI12-12A, TO-220, TO-220AC, 11A, 11A, 75A, TO-220AC, 1200V. Boîtier: TO-220. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AC. If [A]: 11A. IF(AV): 11A. IFSM: 75A. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 250uA..4mA. Dissipation de puissance maxi: 78W. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Fonction: 'Fast Recovery'. Ifsm [A]: 80A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 75Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Température maxi: +150°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Tension de seuil Vf (max): 2.6V. Tension de seuil Vf (min): 2.2A. Trr Diode (Min.): 50 ns. Unité de conditionnement: 50. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 70 ns. [V]: 2.6V @ 12A. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
DSEI12-12A
33 paramètres
Boîtier
TO-220
Boîtier (norme JEDEC)
TO-220AC
If [A]
11A
IF(AV)
11A
IFSM
75A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220AC
VRRM
1200V
Conditionnement
tube en plastique
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
250uA..4mA
Dissipation de puissance maxi
78W
Famille de composants
Diode de redressement rapide (tr<500ns)
Fonction
'Fast Recovery'
Ifsm [A]
80A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
75Ap t=10ms, TVJ=150°C
Structure diélectrique
Anode-cathode
Technologie
'Epitaxial Diode'
Température de fonctionnement
-40...+150°C
Température maxi
+150°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
1.2 kV
Tension de seuil Vf (max)
2.6V
Tension de seuil Vf (min)
2.2A
Trr Diode (Min.)
50 ns
Unité de conditionnement
50
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
70 ns
[V]
2.6V @ 12A
Produit d'origine constructeur
IXYS

Produits équivalents et/ou accessoires pour DSEI12-12A