Diode DSEI60-12A, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Diode DSEI60-12A, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
8.71€
5-14
8.05€
15-29
7.53€
30-59
7.08€
60+
6.27€
Quantité en stock: 40

Diode DSEI60-12A, 52A, 500A, TO-247, TO-247AD, 1200V. IF(AV): 52A. IFSM: 500A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 189W. Fonction: 'Fast Recovery'. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 450Ap t=10ms, TVJ=150°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: 'Epitaxial Diode'. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 2.55V. Tension de seuil Vf (min): 2V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 30. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
DSEI60-12A
22 paramètres
IF(AV)
52A
IFSM
500A
Boîtier
TO-247
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AD
VRRM
1200V
Conditionnement
tube en plastique
Dissipation de puissance maxi
189W
Fonction
'Fast Recovery'
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
450Ap t=10ms, TVJ=150°C
Structure diélectrique
Anode-cathode
Technologie
'Epitaxial Diode'
Température de fonctionnement
-40...+150°C
Tension de seuil Vf (max)
2.55V
Tension de seuil Vf (min)
2V
Trr Diode (Min.)
40 ns
Unité de conditionnement
30
Produit d'origine constructeur
IXYS