Diode DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

Diode DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V

Quantité
Prix unitaire
1-4
8.75€
5-9
8.10€
10-24
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Diode DSEP30-12A, TO-247, TO-247AD, 30A, 30A, 200A, TO-247AD, 1200V. Boîtier: TO-247. Boîtier (norme JEDEC): TO-247AD. If [A]: 30A. IF(AV): 30A. IFSM: 200A. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. VRRM: 1200V. Conditionnement: tube en plastique. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de fuite à la fermeture Ir [A]: 250uA..1mA. Dissipation de puissance maxi: 165W. Famille de composants: Diode de redressement rapide (tr<500ns). Fonction: Diode 'soft recovery'. IRM (max): 1mA. IRM (min): 250uA. Ifsm [A]: 200A. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: 200Ap t=10ms, TVJ=45°C. Structure diélectrique: Anode-cathode. Technologie: HiPerFREDTM Epitaxial Diode. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +175°C.. Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]: 1.2 kV. Tension de seuil Vf (max): 2.74V. Tension de seuil Vf (min): 1.78V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Unité de conditionnement: 30. Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]: 40 ns. [V]: 2.74V @ 30A. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45

Documentation technique (PDF)
DSEP30-12A
35 paramètres
Boîtier
TO-247
Boîtier (norme JEDEC)
TO-247AD
If [A]
30A
IF(AV)
30A
IFSM
200A
Boîtier (selon fiche technique)
TO-247AD
VRRM
1200V
Conditionnement
tube en plastique
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de fuite à la fermeture Ir [A]
250uA..1mA
Dissipation de puissance maxi
165W
Famille de composants
Diode de redressement rapide (tr<500ns)
Fonction
Diode 'soft recovery'
IRM (max)
1mA
IRM (min)
250uA
Ifsm [A]
200A
Matériau semi-conducteur
silicium
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de bornes
2
Nombre de connexions
2
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Spec info
200Ap t=10ms, TVJ=45°C
Structure diélectrique
Anode-cathode
Technologie
HiPerFREDTM Epitaxial Diode
Température de fonctionnement
-55...+175°C
Température maxi
+175°C.
Tension de fermeture (répétitive) Vrrm [V]
1.2 kV
Tension de seuil Vf (max)
2.74V
Tension de seuil Vf (min)
1.78V
Trr Diode (Min.)
40 ns
Unité de conditionnement
30
Vitesse de commutation (temps de régénération) tr [sec.]
40 ns
[V]
2.74V @ 30A
Produit d'origine constructeur
IXYS