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Panasonic

Transistor IGBT 630V 50A RJP63F4A

Référence produit : RJP63F4A
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)630V
Courant collecteur (Ic)50A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))1.8V
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.0V

Description technique du produit (RJP63F4A):

Transistor IGBT 630V 50A RJP63F4A. Transistor IGBT de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et haute puissance. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.