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Onsemi
Transistor NPN 25V 0.02A MPSH10
Référence produit : MPSH10
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.40 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.28 € | -30% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 25V |
| Tension collecteur-base (Vcbo) | 30V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 20mA |
| Gain en courant continu (hFE) | 25 à 150 |
| Fréquence de transition (fT) | 650 MHz (typique) |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | 0.4V (max) |
Description technique du produit (MPSH10):
Transistor NPN 25V 0.02A MPSH10. Le MPSH10 est un transistor bipolaire NPN de petite puissance conçu pour les applications de radiofréquence (RF) et de commutation à haute vitesse. Il offre un gain élevé et une faible capacité, le rendant idéal pour les étages d'amplification RF et les oscillateurs.