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Transistor IGBT 650V 40A FGA40N65SMD-DIóDA
Référence produit : FGA40N65SMD-DIóDA
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 13.90 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 650V |
| Courant collecteur (Ic) | 40A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 1.8V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.5V - 6.5V |
Description technique du produit (FGA40N65SMD-DIóDA):
Transistor IGBT 650V 40A FGA40N65SMD-DIóDA. Transistor IGBT de puissance N-canal avec diode de récupération rapide. Conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé.