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Onsemi (fairchild)
Transistor FET Canal N 30V 0.01A 2N3820
Référence produit : 2N3820
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.94 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.66 € | -30% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30V |
| Tension grille-source (Vgs) | -30V |
| Courant de drain continu (Id) | 10mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | typ. 200-500 Ohm (à Vgs=0V) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -1.0V à -8.0V |
| Charge de grille (Qg) | Négligeable |
Description technique du produit (2N3820):
Transistor FET Canal N 30V 0.01A 2N3820. Transistor à effet de champ à jonction (JFET) canal N, conçu pour les applications d'amplification à faible bruit et de commutation générale. Il offre une impédance d'entrée élevée et une bonne linéarité.