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ON Semiconductor
Transistor NPN 80V 5A MJE200G
Référence produit : MJE200G
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.70 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 80 V |
| Courant collecteur continu (Ic) | 5 A |
| Gain en courant continu (hFE) | 20 (min) |
| Tension collecteur-émetteur de saturation (Vce(sat)) | 0.6 V (max) |
| Fréquence de transition (fT) | 4 MHz (min) |
Description technique du produit (MJE200G):
Transistor NPN 80V 5A MJE200G. Transistor bipolaire NPN de puissance conçu pour les applications de commutation et d'amplification de puissance à usage général.