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ON Semiconductor
Transistor IGBT 1200V 40A FGL40N120ANDTU
Référence produit : FGL40N120ANDTU
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 24 | 26.20 € | — |
| 25+Meilleur prix | 25.20 € | -4% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 40A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.5V - 6.5V |
Description technique du produit (FGL40N120ANDTU):
Transistor IGBT 1200V 40A FGL40N120ANDTU. Transistor IGBT à canal N conçu pour les applications de commutation de puissance élevée.