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On Semiconductor
Transistor MOSFET Canal N 20V 0.3A FDG6301N
Référence produit : FDG6301N
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.54 € | — |
| 30 – 99 | 0.25 € | -54% |
| 100 – 299 | 0.22 € | -59% |
| 300 – 499 | 0.19 € | -65% |
| 500 – 999 | 0.18 € | -67% |
| 1000 – 2999 | 0.17 € | -69% |
| 3000+Meilleur prix | 0.17 € | -69% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 20V |
| Courant de drain | 0.3A |
| Résistance à l'état passant | 0.5 Ohm à Vgs=4.5V |
| Tension de seuil | 0.45V - 1.0V |
| Charge de grille | 0.5nC |
Description technique du produit (FDG6301N):
Transistor MOSFET Canal N 20V 0.3A FDG6301N. Le FDG6301N est un transistor MOSFET à canal N de petite puissance, conçu pour les applications de commutation et de gestion de puissance dans les circuits compacts. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil basse, le rendant idéal pour les applications à faible tension.