Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 12A - NTD3055L104G

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 12A - NTD3055L104G. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 12A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 55L104G. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.104 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 14:25.