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National Semiconductor

Transistor FET Canal N 25V 0.01A 2N3819

Référence produit : 2N3819
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La quantité doit être un multiple de 10. La valeur a été ajustée.
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Caractéristiques techniques

3 paramètres
Tension drain-source max.25V
Courant de drain max.10mA
Tension de seuil (Vgs(off))-1V à -8V

Description technique du produit (2N3819):

Transistor FET Canal N 25V 0.01A 2N3819. Transistor JFET à canal N, conçu pour les applications d'amplification et de commutation à usage général. Il offre une haute impédance d'entrée et un faible bruit.