En stock
Yangjie Electronic Technology
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.115A 2N7002KCE
Vendu par lot de 200 (le prix affiché est pour un lot de 200)
Référence produit : 2N7002KCE
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 10.90 € | — |
| 3 – 4 | 9.72 € | -11% |
| 5 – 14 | 8.64 € | -21% |
| 15 – 29 | 7.82 € | -28% |
| 30+Meilleur prix | 7.51 € | -31% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 60V |
| Courant de drain continu (Id) | 115mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 1.2 Ohm (max) à Vgs=10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 1V à 2.5V |
| Charge de grille (Qg) | 1.1nC (typ) |
Description technique du produit (2N7002KCE):
Transistor MOSFET Canal N 60V 0.115A 2N7002KCE. Le 2N7002KCE est un transistor MOSFET à canal N en mode d'enrichissement, conçu pour des applications de commutation à faible puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une tension de seuil de grille adaptée aux niveaux logiques, ce qui le rend idéal pour les interfaces et les circuits de commande.
. Vendu par lot de 200 (le prix affiché est pour un lot de 200)