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Toshiba

Transistor MOSFET Canal N 600V 15A 2SK2662

Référence produit : 2SK2662
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600V
Courant de drain (Id)15A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.45Ω
Tension de seuil (Vgs(th))2.0-4.0V
Charge de grille (Qg)55nC

Description technique du produit (2SK2662):

Transistor MOSFET Canal N 600V 15A 2SK2662. Transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de puissance.