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Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK3199

Référence produit : 2SK3199
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source600V
Courant de drain continu10A
Résistance à l'état passant (Rds(on))0.75Ω (max)
Tension de seuil de grille2.0V - 4.0V

Description technique du produit (2SK3199):

Transistor MOSFET Canal N 600V 10A 2SK3199. Le 2SK3199 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute vitesse et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant adapté aux convertisseurs DC-DC, aux alimentations à découpage et aux drivers de moteur.