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Hitachi

Transistor FET Canal N 60V 30A 2SK1170

Référence produit : 2SK1170
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source60V
Courant de drain30A
Résistance à l'état passant30mΩ
Tension de pincement Vgs(off)-2.5V

Description technique du produit (2SK1170):

Transistor FET Canal N 60V 30A 2SK1170. Transistor JFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation et d'amplification à haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une excellente capacité de courant.