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Transistor MJE2955T

Transistor MJE2955T
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Quantité HT TTC
1 - 4 0.70€ 0.84€
5 - 9 0.66€ 0.79€
10 - 24 0.63€ 0.76€
25 - 49 0.59€ 0.71€
50 - 99 0.58€ 0.70€
100 - 249 0.57€ 0.68€
250 - 506 0.61€ 0.73€
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Transistor MJE2955T. Transistor. Boîtier: TO-220. Résistance B: Transistor de puissance. Résistance BE: -70V. C (in): -10A. C (out): 90W. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: NF-L. Gain hFE maxi: 70. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): +150°C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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Quantité en stock : 96
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non
MJE2955T-CDIL
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 2 MHz. Fonction: pour amplificateurs audio Hi-fi et régulateurs à découpage. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 8V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE3055T. Diode BE: non. Diode CE: non
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