Transistor MJE253G

Transistor MJE253G. Transistor. Type de transistor: Transistor de puissance. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -4A. Puissance: 15W. Fréquence maxi: 40 MHz. Boîtier: TO-126. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 40 MHz. Fonction: Commutation à grande vitesse. Audio. Gain hFE maxi: 180. Gain hFE mini: 40. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 8A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 7V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE243. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.