Transistor MJE18008

Transistor MJE18008. Transistor. C (in): 1750pF. C (out): 100pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 13MHz. Fonction: Applications d'alimentation à découpage. Gain hFE maxi: 14. Gain hFE mini: 34. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 11:25.