Transistor IXFK90N30

Transistor IXFK90N30. Transistor. C (in): 10000pF. C (out): 1800pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. Id (T=100°C): 75A. Id (T=25°C): 90A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. Résistance passante Rds On: 0.033 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 42 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-264 ( TOP-3L ). Boîtier (selon fiche technique): TO-264AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 300V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.