Transistor IRFR5305

Transistor IRFR5305. Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 520pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 71ms. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: IRFR5305. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 110W. Résistance passante Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 39 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.