Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.18€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.12€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.06€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.00€ |
50 - 99 | 0.81€ | 0.97€ |
100 - 174 | 0.74€ | 0.89€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.98€ | 1.18€ |
5 - 9 | 0.93€ | 1.12€ |
10 - 24 | 0.88€ | 1.06€ |
25 - 49 | 0.83€ | 1.00€ |
50 - 99 | 0.81€ | 0.97€ |
100 - 174 | 0.74€ | 0.89€ |
Transistor IRFR024N. Transistor. C (in): 370pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 56 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 19 ns. Td(on): 4.9 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.
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