Transistor IRFP27N60KPBF

Transistor IRFP27N60KPBF. Transistor. C (in): 4660pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 620 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 18A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 500W. Résistance passante Rds On: 0.18 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 43 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.