Transistor IRFP260N

Transistor IRFP260N. Transistor. C (in): 4057pF. C (out): 603pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 268 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: rapport dv/dt dynamique, commutation rapide. Id(imp): 200A. Id (T=100°C): 35A. Id (T=25°C): 50A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: oui. Poids: 5.57g. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.