Transistor IRFB9N60A

Transistor IRFB9N60A. Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 530 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 37A. Id (T=100°C): 5.8A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 170W. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: commutation rapide. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.