Transistor IRF630

Transistor IRF630. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): 50. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF630. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.35 Ohms @ 4.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 540pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Dissipation de puissance maxi: 75W. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.