Transistor canal N, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630

Transistor canal N, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA - IRF630. Transistor canal N, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 200V, 5.7A, 9A, 50uA. Résistance passante Rds On: 0.35 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 200V. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. RoHS: oui. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 12 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MESH OVERLAY MOSFET. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. C (in): 540pF. C (out): 90pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à courant élevé. Protection G-S: non. Id(imp): 36A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 26/07/2025, 12:25.