Transistor IRF540NS

Transistor IRF540NS. Transistor. C (in): 1400pF. C (out): 330pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 110A. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Equivalences: IRF540NSPBF. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 0.052 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 44 ns. Td(on): 8.2 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.