Transistor IRF5210S

Transistor IRF5210S. Transistor. C (in): 2860pF. C (out): 800pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 24A. Id (T=25°C): 38A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 50uA. Marquage sur le boîtier: F5210S. Dissipation de puissance maxi: 3.8W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 72 ns. Td(on): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.